专利摘要:
ガラスフリット、有機溶媒、導電性種、及び焼成したときに金属酸化物を形成する1種以上の有機金属成分を有する導電性インクであって、有機金属成分を含まない導電性インクと同等以上に直列抵抗を減少する導電性インクが提供される。導電性インクの実施形態は、有機ビスマス金属成分を含む有機金属成分、並びに酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル、及びそれらの組み合わせの1種以上を含むガラスフリットを含む。反射防止膜、1種以上の有機金属成分を包含する導電性インクから形成される格子線を有する光起電力電池もまた提供される。なし
公开号:JP2011512426A
申请号:JP2010545077
申请日:2009-01-27
公开日:2011-04-21
发明作者:カオ,シュエロン;カスティロ,イメルダ
申请人:ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se;
IPC主号:C09D11-00
专利说明:

[0001] 本発明の実施形態は、ガラスフリット及び1種以上の有機金属成分(metallo-organic component)を含む導電性インク、並びにガラスフリット及び1種以上の有機金属成分を含む導電性インクから形成された導電グリッドを有する光起電力電池(photovoltaic cells)に関する。]
背景技術

[0002] 導電性インク又はペーストは、例えば、銀格子(グリッド)線(gridlines)及びバス・バー(bus bars)等の金属接点を、シリコン等の基板の表面上に形成するために使用される。そのような基板は、太陽光の光子が半導体上の電子を価電子帯(valance band)から伝導帯(conductive band)へ励起する際に、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池又は光起電力電池に使用され得る。伝導帯へ流れる電子は、金属接点により集められる。今日の産業において、結晶シリコン太陽電池は、セル効率を増加する光吸収を促進するため、通常、反射防止膜で被覆される。しかしながら、その反射防止膜は、基板から金属接点へ電子が移動することを妨げる絶縁体としても作用する。太陽電池は、通常、導電性インクが塗布される前に反射防止膜によって被覆される。その反射防止膜は、多くの場合、窒化ケイ素、酸化チタン、又は酸化ケイ素を含む。]
[0003] 導電性インクは通常、ガラスフリット、導電性種及び有機溶媒を含む。導電性種は、通常、銀等の金属微粒子であり、導電性及び金属接点の形成後に電流コレクター(current collectors)としての機能を付与する。金属接点の形成のため、導電性インクは基板上へ印刷される。その後、基板は約650℃〜約950℃の範囲の温度で焼成される。焼成温度は銀とシリコンの共融点、及び銀の融点より低いため、ほとんどの場合、焼結助剤(sintering aid)が使用される。更に、太陽電池は通常、導電性インクが塗布される前に反射防止膜によって被覆される。導電性インクは、基板と抵抗接点(ohmic contact)を有する金属接点を形成するため、基板上に配置された反射防止膜を突き抜けるほうが良い。]
[0004] 導電性インクは、基板への金属微粒子の焼結を助け、形成された金属接点と基板との間の接着及び抵抗接点の形成を促進するガラスフリットを包含する。処方によっては、ガラスフリットは約300℃と600℃の間の温度で加熱すると液化する。ガラスフリットが液化する際、金属微粒子と基板上に配置された反射防止膜との間の接触面に向かって流れる傾向がある。融解したガラスは反射防止膜の材料を銀及び基板と同様に溶解する。温度が低下した時点で、融解した銀及び融解又は溶解した基板は液相を通じて再結晶化する。その結果、銀の結晶子の一部は反射防止層を突きぬけ、基板との抵抗接点を形成することができる。この方法は「ファイヤースルー(fire-through)」といわれ、低い接触抵抗の形成、及び銀と基板との間のより強い結合を促進する。攻撃的過ぎるガラスフリットを選択すると、基板が汚染され、それによって太陽電池の性能が低下する可能性がある。適切なガラスフリット又はガラスフリット前駆体の混合物の選択はそのような汚染を回避し、良いセル効率を達成するために役立つ。]
発明が解決しようとする課題

[0005] 従って、光起電力電池における直列抵抗を改善し、焼結を助け、更に反射防止膜を通じて金属接点と基板との接着と抵抗接点の形成を促進する機能を有する導電性インクの必要性がある。]
課題を解決するための手段

[0006] 本発明の一側面に従って、ガラスフリット、導電性種、有機溶媒及び焼成したときに金属合金又は金属酸化物を形成する1種以上の有機金属成分を利用する導電性インクが提供される。この出願全体で使用される、用語「ペースト」及び「インク」は同じ意味で使用される。]
[0007] 一以上の実施形態において、導電性インクのガラスフリット及び1種以上の有機金属成分は、光起電力電池等の基板へ塗布するのに適したペースト中に混合されており、その基板は有機金属成分を含まないペーストが塗布された光起電力電池と同等又はそれ以上に光起電力電池の直列抵抗を減少する。導電性インクの他の実施形態において、その導電性インクを基板上に配置された反射防止膜に塗布した場合、その導電性インクは反射防止膜を突き抜け、基板と抵抗接点を形成することができる。]
[0008] 更なる実施形態において、1種以上の有機金属成分は、焼成したときに約1質量%の金属酸化物を形成するのに十分な量で、インク中に存在する。いくつかの実施形態において、導電性インクは1種以上の有機金属成分を約40質量%未満の量で有する。具体的な実施形態において、1種以上の有機金属成分は約15質量%未満の量で存在する。更に具体的な実施形態において、有機金属成分は約8質量%未満の量で存在する。]
[0009] 本発明の他の実施形態は、酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル、及びそれらの組み合わせの1種以上を含むガラスフリットを使用するインクを提供する。]
[0010] 一以上の実施形態に従って、導電性インクは、有機ビスマス金属成分(bismuth metallo-organic component)を含む。具体的な実施形態において、有機ビスマス金属成分は導電性インク中に約4質量%の量で存在する。更に具体的な実施形態において、導電性インクは、有機ビスマス金属成分、並びに酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル、及びそれらの組み合わせの1種以上を含むガラスフリットを含んでも良い。]
[0011] 本発明の他の側面に従って、光起電力電池は、半導体基板、反射防止膜並びに、ガラスフリット及び1種以上の有機金属成分を含む導電性インクから形成された導電グリッド(格子)を含む。光起電力電池の一実施形態において使用される導電性インクは、金属酸化物及び導電性種を含む格子線(グリッド線)を形成するために焼成されている。一以上の実施形態において、導電性インクは、有機溶媒を除去し、及び導電性種を焼結する処理がされている。本発明の一実施形態によると、導電性インクは、酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル、及びそれらの組み合わせの1種以上を含むガラスフリットを含む。他の実施形態において、1種以上の有機金属成分は、焼成したときに少なくとも約1質量%の金属酸化物を形成するのに十分な量で導電性インク中に存在する。具体的な実施形態において、1種以上の有機金属成分は約40質量%未満の量で存在する。より具体的な実施形態は、1種以上の有機金属成分を約15質量%未満の量で含み、更に、より具体的な実施形態は、1種以上の有機金属成分を約8質量%未満の量で有する。]
[0012] 一以上の実施形態に従って、光起電力電池は有機ビスマス金属成分を含む導電性インクを含む。更に具体的な実施形態は、有機ビスマス金属成分を約4質量%の量で含む導電性インクを有する。光起電力電池の更に具体的な実施形態は、ビスマス有機金属成分、並びに酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル、及びそれらの組み合わせの1種以上を含むガラスフリットを利用する。]
[0013] 前述においては、本発明のいくつかの特徴及び技術的優位性について、かなり広範に概要を述べている。当業者にとって当然のことながら、開示された具体的な実施形態は本発明の範囲内で、他の構造又は方法を修正又は設計する基礎として利用することができる。同様に当業者にとって当然のことながら、そのような均等な構造は、添付の請求項に記載の本発明の精神と範囲から逸脱しない。]
[0014] 本発明のいくつかの典型的な実施形態を記載する前に、本発明は以下の記載において説明された構造又は工程段階の詳細に制限されないことが理解される。本発明は他の実施形態及び種々の方法により実施又は実行されることが可能である。]
[0015] 本発明の側面は、ここでより詳細に説明される、1種以上の金属酸化物成分、少なくとも1種のガラスフリット、導電性種、及びその他の成分を有する導電性インクに関連する。更に、光起電力電池に関連する本発明の側面もまた、より詳細に説明される。]
[0016] [有機金属成分]
本発明の一以上の実施形態は、1種以上の有機金属成分を有する導電性インクを含む。通常、有機金属は、金属カルボン酸塩(metal carboxylate)(例えば、ネオデカン酸塩、酢酸塩及びプロピオン酸塩等)、金属アルコキシド、及び金属錯体を包含する金属原子を含む化合物で、水に難溶性又は不溶性である。有機金属成分はまた、どのような芳香族基又は脂肪族基を含んでも良く、ときには有機基の部分が、樹脂又はその他の天然産物に由来する基からなる際に、金属樹脂酸塩(metal resinates)と称される。他の適切な有機金属成分は、金属メルカプチド(metal mercaptides)を含む。一以上の実施形態において使用される有機金属成分は1種以上の金属原子を有することができる。]
[0017] 1種以上の導電性インクで使用される有機金属成分の例は、有機ホウ素金属(boron-metallo-organic)、有機アルミニウム金属(aluminum-metallo-organic)、有機ケイ素金属(silicon-metallo-organic)、有機ビスマス金属(bismuth-metallo-organic)、有機亜鉛金属(zinc-metallo-organic)、及び有機バナジウム金属(vanadium-metallo-organic)の組み合わせを包含する。ときには、有機金属(metallo-organics)及び金属有機物(organo-metallics)は2種の分類に定義される。この出願全体に使用される、有機金属(metallo-organic)は、有機金属(metallo-organics)及び金属有機物(organo-metallics)の両方を含む。]
[0018] 理論にとらわれることなしに、焼成したときに、有機金属成分は分解し、有機基の部分は導電性インクから除去されると考えられている。更に、金属又は金属合金又は金属酸化物混合物が生成される。焼成後に生成された固形物の量は「有機金属成分の固形分質量%」と称される。一以上の実施形態に従って、有機金属成分は少なくとも0.5固形分質量%を有することができる。他の実施形態は、少なくとも1〜2固形分質量%を有する有機金属成分を含む。理論に制限されることなしに、導電性インク中のガラスフリットの使用と同様に、有機金属成分により生成された固形物の量が、導電体を形成する、又は基板との抵抗接点を形成する導電性インクの機能に影響を与えると考えられている。この機能は、結果として、導電性インクを包含する装置、例えば、半導体、光起電力電池又は自動車のガラス等の性能を向上する。]
[0019] 本発明の一以上の実施形態において、有機金属成分は有機ビスマス金属成分、及び/又は有機銀金属成分を含む。本発明の具体的な実施形態は、有機ビスマス金属成分、有機銀金属成分又は有機ホウ素金属成分の1種以上を含むことができる。本発明の他の実施形態は、有機ビスマス金属成分、有機銀金属成分、有機ホウ素金属成分、有機アルミニウム金属成分、有機亜鉛金属成分及び又は有機バナジウム金属成分の1種又は組み合せを含む。]
[0020] 一実施形態によると、所望の特性を達成するため、単一元素又は金属酸化物又はコロイド金属懸濁液が、一定の元素量を増強するか、又は新たな特性を生じる修飾剤(modifiers)として有機金属成分に添加されても良い。例えば、リン、P2O5又はその他種類のリン含有化合物が、太陽電池への利用のために自己ドープ型ペースト(self-dopingpastes)を作るために添加されても良い。]
[0021] 有機金属成分に配合する更なる要素は、結果として生じる特性を調整するために検討されても良い。一つの検討事項は、反射防止膜上の導電性インクの攻撃性の調節し、基板の汚染を避けることを含む。他の検討事項は、導電性種と反射防止膜とを反応する有機金属成分から、分解した固体混合物のために十分な時間と熱を供給するために、約200℃〜約500℃の範囲、又は焼成プロファイルに応じた他の範囲の熱分解温度を選択することを含む。金属カルボン酸塩又は低温化学蒸着(chemical vapor deposition)(「CVD」)前駆体は分解温度を調整するために検討されても良い。第三の検討事項は、印刷に適した堅さを有する、又はレオロジー調整剤(rheology modifiers)としても使用され得る、1種以上の有機金属成分から選択することを含む。]
[0022] [導電性種]
一以上の実施形態において、導電性インクは粉末又は微粒子形態の銀等の導電性種を利用する。他の導電性種の限定されない実施例は、粉末又は微粒子形態の金、銅及び白金等の導電性金属を含む。]
[0023] 一以上の実施形態において使用される銀種は、1種以上の銀金属又は銀合金の微粉末の形態でも良い。他の実施形態において、銀は硝酸銀(AgNO3)等の銀塩として添加されても良い。一以上の実施形態によると、導電性種は、約500℃よりも高い温度で焼結される能力を有するべきである。]
[0024] 一種以上の実施例は、導電性種を使用せず、代わりに、焼成したときに1種以上の導電性金属元素を形成する有機金属成分を利用する。導電性金属元素の例は、銅、銀、金、白金及び/又は他の貴金属、及びそれらの組み合わせを含む。一以上の実施形態は、導電性種、及び焼成したときに導電性金属元素を形成する有機金属成分の両方を利用する。]
[0025] [ガラスフリット]
本発明の一以上の実施形態において使用されるガラスフリット粉末は、酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル、及びそれらの組み合わせの1種以上を含む。]
[0026] 具体的な一実施形態は、二酸化テルルを包含し、意図的に添加された鉛を有さないガラスフリットを含む。そのような実施形態において、用語「意図的に添加された鉛を有さない」は、ガラスフリットの有する鉛が、約1000ppm未満であることを意味する。具体的な実施形態において、ガラスフリットは、二酸化テルルを約0.01質量%〜10質量%の量で含む。本発明に従って使用されるガラスフリットの更に具体的な実施形態は、二酸化テルル、ZnO、Al2O3及びそれらの組み合わせを含む。更により具体的な二酸化テルル含有ガラスフリットの実施形態は、Ag2O、Sb2O3、GeO2、In2O3、P2O5、V2O5、Nb2O5、及びTa2O5等の他の成分を含んでも良い。本発明の更なる実施形態は、Na2O、Li2O、及び/又はK2O、並びにBaO、CaO、MgO及び/又はSrO等のアルカリ金属酸化物及び/又はアルカリ土類金属酸化物を利用する。]
[0027] 一実施形態において、本発明による導電性インク中に利用されるガラスフリットは、約20質量%を超えて、60質量%未満のBi2O3、約15質量%〜約30質量%のSiO2、及び約2質量%〜9質量%のB2O3を含み、且つそのガラスフリットは実質的にNa2Oを含まない。一以上の実施形態によると、Na2Oを実質的に含まないとは、Na2Oがガラスフリット中に、約0質量%〜0.2質量%の範囲の量で存在することを意味する。]
[0028] 本発明の一以上の実施形態による導電性インクはまた、テルル酸ビスマス及び/又はケイ酸ビスマス粉末を包含する。テルル酸ビスマス及び/又はケイ酸ビスマス粉末の添加は、結晶化の発生を低温度に推移させることによりガラスフリットの結晶化を制御することができることができることが明らかになっている。]
[0029] 本発明は理論にとらわれるべきではないが、テルル酸ビスマス及び/又はケイ酸ビスマス粉末は結晶成長の核形成部位を供給すると考えられる。光起電製品において、ガラスフリットは、銀が抵抗接点を形成できるように反射防止層を突き抜けるか、溶解する必要があるが、一方で、ガラスフリットの攻撃性の制御として、機器を短絡する半導体の接合点の突き抜けを防ぐことが望ましい。他の実施形態は、テルル酸ビスマス及び/又はケイ酸ビスマスと同様又は類似の効果を生じる、チタニア、ジルコニア、リン化合物等の他の公知の相を利用する。]
[0030] [他の成分]
一以上の実施形態による導電性インクはまた、有機媒体(organic vehicle)を含んでも良い。有機媒体は微粒子成分を分散し、インク組成物の表面への移動を促進する。少なくとも一実施形態において、有機媒体は、適切に不活性な溶媒、樹脂及び一般的な界面活性剤を含む。具体的に、有機媒体は樹脂を溶解し、導電性種及び有機金属成分を分散し、適切なレオロジー(流動学的因子)を有する導電性インクを形成する。種々の有機媒体は、増粘剤、安定剤及び/又は他の添加剤を含む、含まないにかかわらず、本発明の実施形態の調製に使用するのに適している。溶媒の例はアルコール(グリコールを含む)及びそのアルコールのエステル、パインオイル等のテルペン、テルピネオール及びその同様なものを含む。より具体的な溶媒は、ジブチルフタレート、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、テルピネオール、イソプロパノール、トリデカノール、及び2,2,4−トリメチル−1,3−ペンタンジオールモノイソブチレートを含む。いくつかの実施形態は、基板への塗布後の迅速乾燥(fast drying)を促進するために揮発性液体も含む溶媒を利用する。]
[0031] 適切な樹脂の例は、エチルセルロース、メチルセルロース、ニトロセルロース、カルボキシメチルセルロース及び他のセルロース誘導体を含む。他の例は、例えば、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ポリビニルアルコール、ポリビニルケトン及びポリビニルブチラール等の樹脂を含む。]
[0032] 具体的な一実施形態において、低級アルコールのポリメタクリレート等の樹脂の溶液が使用され、更に具体的な実施形態において、有機媒体は、パインオイル及びジエチレングリコールのモノブチルエーテル等の溶媒中のエチルセルロースを含む。]
[0033] 一以上の実施形態によると、導電性インクにおける有機媒体の固形物に対する比は大幅に変えることができ、最終的な所望の製剤のレオロジーにより決定され、同様に、システムの印刷要件によっても決定される。一以上の実施形態において、導電性インクは約50〜約95質量%の固形物及び、約5〜約50質量%の有機媒体を含んでも良い。]
[0034] 導電性インクの一以上の実施形態は、更に、当技術分野で公知の更なる添加物、例えば、顔料、染料、レオロジー調整剤、接着強化剤、焼結阻害剤、生強度調整剤(green-strength modifiers)、界面活性剤及びその同様なものを含んでも良い。]
[0035] 一以上の実施形態による導電性インクは、例えば、3本ロールミル(triple-roll- mill)のような適切な装置によって調製されても良い。少なくとも一実施形態において、1種以上の有機金属成分、ガラスフリット、導電性種及び有機媒体が予め混合され、ミルで分散される。]
[0036] [光起電力電池]
本発明の他の側面は、半導体基板、基板上の反射防止膜及び導電グリッドを含む光起電力電池を提供する。一以上の実施形態によると、導電グリッドはガラスフリット、導電性種、有機溶媒及び1種以上の有機金属成分を含む導電性インクから形成される。本願に記載された導電性インクの一以上の実施形態はその導電グリッドの形成に使用できる。一以上の実施形態によると、1種以上の有機金属成分は、導電性インクが、基板上の反射防止膜を突き抜けるか、又は溶解し、抵抗接点を確立するために要求される。]
[0037] 一以上の実施形態において、半導体基板はシリコンであっても良い。ドープ半導体等の、当技術分野で公知の他の適切な基板が利用されても良い。一以上の実施形態によれると、反射防止膜は、二酸化ケイ素、酸化チタン、窒化ケイ素又は当技術分野で公知の他の被膜を含んでも良い。]
[0038] 半導体基板は、単結晶又は多結晶シリコンを含んでも良い。反射防止膜は、化学蒸着技術(chemical vapor deposition techniques))を使用して基板に施与しても良い。いくつかの実施形態において、プラズマ化学気相成長技術(plasma enhanced chemical vapor deposition techniques)が、基板への反射防止膜の施与に使用される。一以上の実施例による半導体基板はまた、太陽光の反射を減少させ、吸収のレベルを強めるためにエッチング処理やテクスチャー処理(texture)がされていても良い。一以上の実施形態によると、導電性インクはその後、基板又は反射防止膜の表面にスクリーン印刷又は他の技術によって塗布される。基板は格子線を形成するために約650℃〜950℃の温度で加熱又は焼成される。一実施形態において、本願において別途説明したように、焼成工程は、ガラスフリットが融解し、反射防止膜を突き抜けることを可能とする。一以上の実施形態において、導電性種は、導体(conductors)及び基板の接触面で結晶子を形成し、導体と半導体基板との間の電気的又は抵抗接点の形成を強める。]
[0039] 本発明の実施形態は、以下の実施例により更に詳細に説明されるが、いかなる方法においても、本発明を制限する意図はない。]
[0040] 各セルに印刷された6種の導電性インク(インクA〜C(比較例に相当)及び比較インクA〜C(実施例に相当))を有する6種の光起電力電池の曲線因子(fill factor)、セル効率(cell efficiency)及び直列抵抗(series resistance)が、その装置及びその上に配置されたインクの性能を評価するために試験された。インクA〜Cは、銀導電性種及び3種の異なるガラスフリットをそれぞれ含んでいた。ガラスフリットは、酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、及び酸化亜鉛を含む。比較インクA〜Cは銀導電性種及び有機ビスマス金属成分を含んでいた。比較インクAは更にインクAで試験されたガラスフリットを含む、比較インクB及びCはそれぞれ、インクB及びCで試験されたガラスフリットを含む。各光起電力電池の性能は測定され、表1に再現された。比較インクA、B及びCを有する光起電力電池の結果の値は、それぞれ、対応するインクA、B及びCに対して標準化された。]
[0041] ]
[0042] 「曲線因子(fill factor)」及び「効率(efficiency)」は半導体の性能の評価である。用語「曲線因子」は、太陽電池の電流−電圧(I−V)特性において、最大出力(maximum power)(VmpxJmp)を短絡電流密度(short-circuit current density)(Jsc)と開放電圧(open-circuit voltage)(Voc)の積で除した比として定義される。開放電圧(Voc)は開放条件(open-circuit condition)下で、得られる最大電圧である。短絡電流密度(short-circuit current density)(Jsc)は、短絡条件(short-circuit condition)下の負荷で流れる最大電流密度である。曲線因子(FF)はこのように(VmpJmp)/VocJsc)、[但し、Jmp及びVmpは、最大出力点(maximum power point)での電流密度及び電圧を表す。]として定義される。]
[0043] 用語「効率」は、変換され(吸収された光から電気エネルギーへの変換)、太陽電池が電気回路へ接続された際に集められる力(power)の百分率である。効率(η)は、「標準」試験条件下で、ピーク電力(peak power)を総入射照度(total incident irradiance)(E、Wm−2単位で測定される)と装置面積(A、m2単位で測定される)との積で除した比[η=Pm/(ExA)]を使用して計算される。]
[0044] 表1に示すように、比較インクA、B及びC(実施例)はインクA、B及びC(比較例)よりも、それぞれ高い効率を示した。従って、このデータに基づいて、1種以上の有機金属成分の導電性インクへの添加は、光起電力電池の性能を改善するものと考えられる。]
[0045] 本明細書全体にわたった、「一実施形態」、[いくつかの実施形態」、「一以上の実施形態」、又は「実施形態」への言及は、その実施形態に関連して記載される特定の特徴、構造、材料、又は特性は本発明の少なくとも一実施形態に含まれるということを意味する。従って、本明細書全体にわたって、種々の箇所に「一以上の実施形態において」、「いくつかの実施形態において」、「一実施形態において」、又は「実施形態において」等の表現は、本発明において、必ずしも、同一の実施形態に言及しているとは限らない。更に、特定の特徴、構造、材料、又は特性は、一以上の実施形態において、どのような適切な方法でも、組み合わされても良い。]
実施例

[0046] ここに本発明は特定の実施形態を参照にして記載されているが、これらの実施形態は、単に本発明の原理及び応用の説明に役立つものであると理解される。本発明の精神及び範囲を逸脱しないで、本発明の方法及び装置を種々の改良及び変更することが可能であることは、当業者にとって明らかである。従って、本発明は、添付の特許請求の範囲及びその均等の範囲である改良及び変更を含むことが意図される。]
权利要求:

請求項1
ガラスフリット、導電性種、有機媒体、及び焼成により金属酸化物を形成することができる1種以上の有機金属成分を含む導電性インクであって、前記ガラスフリット及び有機金属成分が、基板に塗布するのに適したペースト中に混合されており、且つ前記導電性インクが、有機金属成分を含まない導電性インクと比較して同等又はそれ以上に直列抵抗を減少させることを特徴とする導電性インク。
請求項2
前記1種以上の有機金属成分が、焼成したときに少なくとも約1質量%の量の金属酸化物を形成するのに十分な量で存在する請求項1に記載の導電性インク。
請求項3
前記1種以上の有機金属成分が、約40質量%未満の量で存在する請求項1に記載の導電性インク。
請求項4
前記1種以上の有機金属成分が、約15質量%未満の量で存在する請求項3に記載の導電性インク。
請求項5
前記1種以上の有機金属成分が、約8質量%未満の量で存在する請求項4に記載の導電性インク。
請求項6
前記1種以上の有機金属成分が、更に、有機ビスマス金属を含む請求項1に記載の導電性インク。
請求項7
前記有機ビスマス金属が、約4質量%の量で存在する請求項6に記載の導電性インク。
請求項8
前記ガラスフリットが、酸化ビスマス、シリカ、酸化ホウ素、二酸化テルル及びそれらの組み合わせの1種以上を含む請求項1又は6に記載の導電性インク。
請求項9
前記導電性インクを、前記基板上に配置された反射防止膜へ塗布した場合、該導電性インクは該反射防止膜を突き抜け、前記基板と抵抗接点を形成することができるものである請求項1に記載の導電性インク。
請求項10
半導体基板、反射防止膜、及び請求項1〜9のいずれか1項に記載の導電性インクかから形成された導電グリッド線を含む光起電力電池であって、該導電性インクは、有機溶媒を除去し、導電性種を焼結する処理が行われている光起電力電池。
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TWI446561B|2014-07-21|含鋁及硼、鈦、鎳、錫、銀、鎵、鋅、銦及銅中的至少一種之太陽電池
US8900487B2|2014-12-02|Conductive paste composition and semiconductor devices made therefrom
KR101086183B1|2011-11-25|후막 전도성 조성물 및 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 공정
US8845932B2|2014-09-30|Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices
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引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
JPS61288308A|1985-06-13|1986-12-18|Sumitomo Metal Mining Co|Thick film conductor composition|
JPH0439812A|1990-06-02|1992-02-10|Tanaka Kikinzoku Internatl Kk|Conductor composition|
JPH05222326A|1992-02-13|1993-08-31|Dainippon Ink & Chem Inc|Offset printing ink for silver conductor circuit and method for forming silver conductor circuit|
JPH06240183A|1993-02-18|1994-08-30|Daiken Kagaku Kogyo Kk|電極用導電性塗料|
JPH07126037A|1993-10-29|1995-05-16|Central Glass Co Ltd|接着・封止用ガラス|
JPH08148447A|1994-11-25|1996-06-07|Murata Mfg Co Ltd|導電性ペースト及び該導電性ペーストを用いて形成された電極を備える太陽電池|
JPH0917232A|1995-06-30|1997-01-17|Tanaka Kikinzoku Internatl Kk|Conductor paste composition|
JPH09306239A|1996-05-21|1997-11-28|Murata Mfg Co Ltd|導電ペースト及び電子部品の製造方法|
JP2001167632A|1999-12-09|2001-06-22|Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd|Pbフリー低温焼成型導電塗料|
JP2007194580A|2005-12-21|2007-08-02|E I Du Pont De Nemours & Co|太陽電池電極用ペースト|
WO2007102287A1|2006-03-07|2007-09-13|Murata Manufacturing Co., Ltd.|導電性ペースト及び太陽電池|
JP2007294677A|2006-04-25|2007-11-08|Namics Corp|太陽電池電極用導電性ペースト|WO2013111456A1|2012-01-26|2013-08-01|株式会社 日立産機システム|インク、被印字基材、印字装置、印字方法、被印字基材の製造方法|
US10084100B2|2010-10-07|2018-09-25|Shoei Chemical Inc.|Solar cell element and method for manufacturing same|US579550A||1897-03-23||Computing-scale |
US3755723A|1968-02-26|1973-08-28|Du Pont|Novel glasses, silver compositions and capacitors therefrom|
US3545986A|1968-02-26|1970-12-08|Du Pont|Novel silver compositions and capacitors therefrom|
FR2348897B1|1976-04-21|1978-08-25|Labo Electronique Physique||
JPS6310887B2|1981-04-30|1988-03-10|Taiyo Yuden Kk||
JP2507040B2|1989-04-24|1996-06-12|松下電器産業株式会社|印刷回路用ペ―ストおよび印刷回路の形成方法|
JP2839326B2|1990-03-28|1998-12-16|京セラ株式会社|磁器電子部品|
US5162062A|1991-06-17|1992-11-10|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Method for making multilayer electronic circuits|
JP3280414B2|1992-05-26|2002-05-13|松下電工株式会社|搬送装置|
JPH0657183A|1992-08-05|1994-03-01|Murata Mfg Co Ltd|導電性ペースト|
US5252521A|1992-10-19|1993-10-12|Ferro Corporation|Bismuth-containing lead-free glass enamels and glazes of low silica content|
US5378408A|1993-07-29|1995-01-03|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Lead-free thick film paste composition|
US5578533A|1993-10-01|1996-11-26|Asahi Glass Company Ltd.|Ceramic color composition and process for producing a curved surface glass sheet employing it|
US5439852A|1994-08-01|1995-08-08|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Cadmium-free and lead-free thick film conductor composition|
US5491118A|1994-12-20|1996-02-13|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Cadmium-free and lead-free thick film paste composition|
US5882722A|1995-07-12|1999-03-16|Partnerships Limited, Inc.|Electrical conductors formed from mixtures of metal powders and metallo-organic decompositions compounds|
GB9518033D0|1995-09-05|1995-11-08|Cookson Matthey Ceramics Plc|Composition|
JP3211641B2|1995-09-22|2001-09-25|株式会社村田製作所|導電性組成物|
US5714420A|1995-12-08|1998-02-03|Cerdec Corporation - Drakenfeld Products|Partially crystallizing ceramic enamel composition containing bismuth silicate, and use thereof|
JP3209089B2|1996-05-09|2001-09-17|昭栄化学工業株式会社|導電性ペースト|
JP3419244B2|1996-05-24|2003-06-23|株式会社村田製作所|導電ペースト及びセラミック基板の製造方法|
US5753571A|1997-02-13|1998-05-19|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Lead and cadmium-free encapsulant composition|
JP3419321B2|1998-09-24|2003-06-23|株式会社村田製作所|セラミック電子部品およびその製造方法|
US6255239B1|1998-12-04|2001-07-03|Cerdec Corporation|Lead-free alkali metal-free glass compositions|
JP2000264676A|1999-03-12|2000-09-26|Asahi Glass Co Ltd|低融点ガラス|
EP1441864B1|2000-01-21|2009-11-18|Midwest Research Institute|Method for forming thin-film conductors through the decomposition of metal-chelates in association with metal particles|
JP3452033B2|2000-07-05|2003-09-29|株式会社村田製作所|導電性ペーストおよび積層セラミック電子部品|
CA2440296A1|2001-03-19|2002-09-26|Energieonderzoek Centrum Nederland|Compound having a high conductivity for electrons; electrode for an electrochemical cell which comprises this compound, method for preparing an electrode and electrochemical cell|
DE10116653A1|2001-04-04|2002-10-10|Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag|Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte Artikel mit einer leitfähigen Beschichtung auf Glas, Keramik und emailliertem Stahl und Verfahren zu deren Herstellung|
NL1018266C1|2001-06-12|2002-12-13|Energieonderzoek Ct Nederland|Gemengd oxidemateriaal met hoog geleidingsvermogen voor elektronen; elektrode voor een elektrochemische cel die dit materiaal omvat; werkwijze voor het vervaardigen van een elektrode voor een elektrochemische cel en elektrochemische cel die tenminste een dergelijke elektrode omvat.|
US6814795B2|2001-11-27|2004-11-09|Ferro Corporation|Hot melt conductor paste composition|
US7241512B2|2002-04-19|2007-07-10|3M Innovative Properties Company|Electroluminescent materials and methods of manufacture and use|
KR101043307B1|2002-06-13|2011-06-22|시마 나노 테크 이스라엘 리미티드|전도성 투명 나노-코팅 및 나노-잉크를 제조하는 방법과 이에 의하여 제조된 나노-분말 코팅 및 잉크|
JP4064226B2|2002-12-17|2008-03-19|京都エレックス株式会社|Conductive paste composition and circuit board using the paste composition|
US20040178391A1|2003-01-29|2004-09-16|Conaghan Brian F.|High conductivity inks with low minimum curing temperatures|
US7211205B2|2003-01-29|2007-05-01|Parelec, Inc.|High conductivity inks with improved adhesion|
US7138347B2|2003-08-14|2006-11-21|E. I. Du Pont De Nemours And Company|Thick-film conductor paste for automotive glass|
JP3853793B2|2004-02-27|2006-12-06|京セラケミカル株式会社|太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法|
JP4537092B2|2004-03-01|2010-09-01|パナソニック株式会社|ガラス組成物及び磁気ヘッド|
JP4506232B2|2004-03-29|2010-07-21|Dic株式会社|重合性液晶化合物、これを含有する液晶組成物、及びこれらの重合体|
US7339780B2|2004-06-09|2008-03-04|Ferro Corporation|Copper termination inks containing lead free and cadmium free glasses for capacitors|
JP4393938B2|2004-07-16|2010-01-06|信越化学工業株式会社|Electrode material, solar cell, and method for manufacturing solar cell|
JP2006225255A|2005-01-18|2006-08-31|Sony Corp|無鉛ガラス組成物及び磁気ヘッド|
CN101129092A|2005-02-24|2008-02-20|埃克阿泰克有限责任公司|脉冲宽度调制的除霜器|
WO2006093398A1|2005-03-04|2006-09-08|Inktec Co., Ltd.|Conductive inks and manufacturing method thereof|
US7435361B2|2005-04-14|2008-10-14|E.I. Du Pont De Nemours And Company|Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices|
US7494607B2|2005-04-14|2009-02-24|E.I. Du Pont De Nemours And Company|Electroconductive thick film composition, electrode, and semiconductor device formed therefrom|
US8093491B2|2005-06-03|2012-01-10|Ferro Corporation|Lead free solar cell contacts|
JP2006348160A|2005-06-15|2006-12-28|Mitsui Mining & Smelting Co Ltd|導電性インク|
JP2007049087A|2005-08-12|2007-02-22|Sharp Corp|太陽電池の電極およびその製造方法|
US8721931B2|2005-12-21|2014-05-13|E I Du Pont De Nemours And Company|Paste for solar cell electrode, solar cell electrode manufacturing method, and solar cell|
JP2007235082A|2006-02-02|2007-09-13|E I Du Pont De Nemours & Co|太陽電池電極用ペースト|
WO2007125879A1|2006-04-25|2007-11-08|Sharp Corporation|太陽電池電極用導電性ペースト|
US20070253140A1|2006-04-28|2007-11-01|Randall Michael S|Base metal electrode multilayer capacitor with localized oxidizing source|
US7731868B2|2007-04-12|2010-06-08|E.I. Du Pont De Nemours And Company|Thick film conductive composition and process for use in the manufacture of semiconductor device|
US8383011B2|2008-01-30|2013-02-26|Basf Se|Conductive inks with metallo-organic modifiers|US7736546B2|2008-01-30|2010-06-15|Basf Se|Glass frits|
US8383011B2|2008-01-30|2013-02-26|Basf Se|Conductive inks with metallo-organic modifiers|
US8308993B2|2008-01-30|2012-11-13|Basf Se|Conductive inks|
US7999175B2|2008-09-09|2011-08-16|Palo Alto Research Center Incorporated|Interdigitated back contact silicon solar cells with laser ablated grooves|
US9150966B2|2008-11-14|2015-10-06|Palo Alto Research Center Incorporated|Solar cell metallization using inline electroless plating|
JP5984671B2|2009-09-04|2016-09-06|ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se|電極を印刷するための組成物|
JP5559509B2|2009-10-28|2014-07-23|昭栄化学工業株式会社|太陽電池電極形成用導電性ペースト|
JP5559510B2|2009-10-28|2014-07-23|昭栄化学工業株式会社|太陽電池素子及びその製造方法|
US8962424B2|2011-03-03|2015-02-24|Palo Alto Research Center Incorporated|N-type silicon solar cell with contact/protection structures|
US20120234383A1|2011-03-15|2012-09-20|E.I.Du Pont De Nemours And Company|Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell|
KR101417254B1|2011-03-15|2014-07-10|주식회사 엘지화학|도전성 잉크 조성물, 이를 이용한 인쇄 방법 및 이에 의하여 제조된 도전성 패턴|
US20120234384A1|2011-03-15|2012-09-20|E.I. Du Pont Nemours And Company|Conductive metal paste for a metal-wrap-through silicon solar cell|
JP2012212615A|2011-03-31|2012-11-01|Sony Corp|光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器|
US8512463B2|2011-04-05|2013-08-20|E I Du Pont De Nemours And Company|Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices|
MY163084A|2011-04-21|2017-08-15|Shoei Chemical Ind Co|Conductive paste|
US8790550B2|2011-06-06|2014-07-29|E I Du Pont De Nemours And Company|Low temperature fireable thick film silver paste|
US20120305859A1|2011-06-06|2012-12-06|E I Du Pont De Nemours And Company|Low temperature fireable thick film silver paste|
US20120312368A1|2011-06-13|2012-12-13|E I Du Pont De Nemours And Company|Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices|
US20120312369A1|2011-06-13|2012-12-13|E I Du Pont De Nemours And Company|Thick film paste containing bismuth-based oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices|
US8845932B2|2012-04-26|2014-09-30|E I Du Pont De Nemours And Company|Thick film paste containing bismuth-tellurium-oxide and its use in the manufacture of semiconductor devices|
KR102018652B1|2012-08-29|2019-09-05|엘지전자 주식회사|태양 전지|
JP6067727B2|2012-09-26|2017-01-25|ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー|導電性ペースト及び太陽電池|
KR101553439B1|2013-04-30|2015-10-01|주식회사 잉크테크|흑화 전도성 패턴의 형성방법|
WO2015003736A1|2013-07-08|2015-01-15|Fenzi Spa|Ceramic inkjet ink|
KR101352992B1|2013-08-09|2014-01-23|부경대학교 산학협력단|실리콘 태양전지 상부전극용 노즐 인쇄가 가능한 전도성 잉크|
US9761742B2|2013-12-03|2017-09-12|E I Du Pont De Nemours And Company|Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith|
US9793025B2|2013-12-03|2017-10-17|E I Du Pont De Nemours And Company|Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith|
KR102093157B1|2014-12-01|2020-03-25|삼성전기주식회사|다층 세라믹 기판|
CN104861779A|2015-04-27|2015-08-26|汤振华|一种玻璃喷绘纳米级墨水及喷绘方法|
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